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射频晶体管
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BLW85

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库存：37,029(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥553.248
553.248
10
¥461.04
4610.4
25
¥414.936
10373.4
50
¥368.832
18441.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
9 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
22 A
Pd-功率耗散
105 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6V2010GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:38301
QPD0060
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
1:¥415.6253
25:¥374.0526
100:¥374.0526
参考库存:38306
CG2H80030D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:4422
MHT1004GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
250:¥853.15
参考库存:38313
MRF137
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
1:¥230.5991
10:¥227.1413
参考库存:4699

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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