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射频晶体管
MRF6V2010GNR1参考图片

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MRF6V2010GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
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数量单价合计
1
¥168.3587
168.3587
5
¥160.9798
804.899
10
¥155.2959
1552.959
25
¥135.5435
3388.5875
500
¥116.8759
58437.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
23.9 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
零件号别名
935321298528
单位重量
548 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD1274-01
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥292.4553
10:¥283.3136
25:¥272.782
50:¥267.019
参考库存:6203
2SK3475TE12LF
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:9875
D2002UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V- 1GHz SE
1:¥539.9592
10:¥476.7922
25:¥423.0833
50:¥400.9466
参考库存:6232
D2220UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
1:¥222.2936
10:¥196.2471
25:¥178.0428
50:¥158.5955
参考库存:40273
PD57045-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
400:¥316.2757
参考库存:40278

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    50万现货SKU

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