您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
BLT81,115参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BLT81,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:9,731(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.9104
159.104
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
9.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.7 mm
商标
NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流
0.5 A
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934019790115
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-175MHz SE
50:¥634.7775
100:¥617.2512
参考库存:36256
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:36261
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
15,000:¥1.4464
45,000:¥1.4012
参考库存:36266
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥734.8164
10:¥674.271
25:¥605.115
50:¥535.959
参考库存:36271
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN
1:¥1,527.1159
25:¥1,264.6282
参考库存:2187
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们