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射频晶体管

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MRF587

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库存:1,259(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥645.456
645.456
10
¥537.88
5378.8
25
¥484.092
12102.3
50
¥430.3831
21519.155
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Case244-04
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥15.9104
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥7.9891
参考库存:3220
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
25:¥1,601.9558
50:¥1,564.4624
参考库存:36401
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:30012
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,283.228
5:¥1,279.386
参考库存:2274
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
1:¥1,281.8494
参考库存:2866
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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