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射频晶体管
SD2931-10W参考图片

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SD2931-10W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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库存:4,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥544.3323
544.3323
5
¥534.3431
2671.7155
10
¥520.5119
5205.119
25
¥510.2967
12757.4175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
230 MHz
系列
SD2931-10
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
10 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:16350
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,301.7422
2:¥2,246.3383
5:¥2,213.4553
10:¥2,182.0978
参考库存:38936
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥1,926.6839
5:¥1,883.7326
10:¥1,845.1544
25:¥1,817.9553
50:¥1,751.952
参考库存:38941
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
2,500:¥39.9568
参考库存:38946
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
50:¥1,727.4423
参考库存:38951
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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