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射频晶体管
2SK3557-6-TB-E参考图片

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2SK3557-6-TB-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
50 mA
最大漏极/栅极电压
- 15 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
系列
2SK3557
类型
JFET
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
35 mS
闸/源截止电压
- 0.7 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1516-60
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,400.5607
参考库存:35619
PD57060-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.5462
5:¥406.2576
10:¥390.3472
25:¥377.7477
参考库存:8700
BFP 181 E7764
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:54812
1517-110M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,925.8412
参考库存:35628
MMRF1008HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,439.3649
5:¥2,401.8602
10:¥2,366.1296
25:¥2,315.031
50:¥2,279.4586
参考库存:35633

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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