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射频晶体管
STAC2942BW参考图片

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STAC2942BW

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
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数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
21 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244B
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC2942B
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5 s
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥4,211.9846
5:¥3,947.5759
参考库存:35771
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,289.9854
10:¥1,183.7202
25:¥1,062.313
50:¥940.9058
参考库存:1662
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥3,613.5592
参考库存:35778
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥594.9676
5:¥547.9483
参考库存:35783
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥498.6916
5:¥483.5496
10:¥469.3342
25:¥439.9881
参考库存:35788
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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