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射频晶体管
BFU530XRR参考图片

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BFU530XRR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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库存：27,982(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.07576
3227.28
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067712215
单位重量
8.810 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT23H200-4S2LR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
150:¥732.127
参考库存:35542
BLF177
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:1878
CGH40010F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
1:¥429.3774
参考库存:4085
T1G2028536-FS
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:1537
NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:20259

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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