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射频晶体管
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CGHV27030S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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250
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1011HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
50:¥3,427.4482
参考库存:36516
TGF2120
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
100:¥112.1864
300:¥104.8866
500:¥97.971
1,000:¥91.5978
参考库存:36521
55GN01FA-TL-H
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=5.5
8,000:¥0.66896
24,000:¥0.62263
48,000:¥0.56048
96,000:¥0.53788
参考库存:322387
MX0912B251Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,673.9464
2:¥3,371.355
5:¥3,025.575
10:¥2,420.46
25:¥2,334.015
参考库存:36528
PTRA097008NB-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥1,018.13
参考库存:36533

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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