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射频晶体管

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MRF10120

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  • 射频(RF)双极晶体管
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数量单价合计
1
¥1,344.70
1344.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
封装 / 箱体
355C-2
工作频率
1.215 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
380 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:38303
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1,000:¥79.6085
参考库存:36889
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥423.0833
2:¥411.5573
5:¥400.1782
10:¥388.7313
参考库存:2900
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
20:¥988.9308
40:¥968.1049
100:¥919.6957
参考库存:36896
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:36901
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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