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射频晶体管

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MRF10120

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1
¥1,344.70
1344.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
封装 / 箱体
355C-2
工作频率
1.215 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
380 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD57018STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥178.1106
参考库存:39098
BFP 720 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3448
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:22794
TGF2933
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
50:¥273.2453
100:¥241.5036
250:¥226.1356
参考库存:39105
MMRF2010GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:39110
A2T21H450W19SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,466.2654
参考库存:39115

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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