您好！欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
射频晶体管
CGH27030P参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

CGH27030P

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：5,952(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥699.6282
699.6282
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
7 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
14 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
440196
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
NF—噪声系数
3 dB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC241702FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:36848
NESG7030M04-EV24-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频开发工具 NF .75dB Gain 14dB Eval Brd for 2.4GHz
暂无价格
参考库存:36853
A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:36858
MMRF1019NR4
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
1:¥586.8994
5:¥569.7686
10:¥557.5533
25:¥534.1962
100:¥495.0078
参考库存:3224
W2CBW0015DEV-1
Wi2Wi
射频晶体管
WiFi / 802.11 Development Tools W2CBW0015 Dev Kit without Host
暂无价格
参考库存:36865

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话：13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址：深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们