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射频晶体管
PH2729-110M参考图片

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PH2729-110M

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管
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库存：6,098(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,633.1486
2633.1486
2
¥2,560.3088
5120.6176
5
¥2,501.6844
12508.422
10
¥2,428.6073
24286.073
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
63 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
8 A
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
Ceramic-2
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
输出功率
110 W
商标
MACOM
Pd-功率耗散
330 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:36631
BFU550AR
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.70738
参考库存:7557
MZ0912B50Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
10:¥2,382.04
25:¥2,151.52
参考库存:36638
CG2H80060D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:36643
PD55035STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥181.8057
参考库存:36648

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