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射频晶体管

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CGHV27015S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
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250
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
1.78 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2731-100M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Transistor
20:¥2,608.492
参考库存:37665
MRF555T
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥45.4147
10:¥37.1883
25:¥33.0412
50:¥29.7416
参考库存:4061
AFT18S260W31GSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
250:¥912.8592
参考库存:37672
AGR18030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
1:¥457.198
5:¥419.5464
10:¥376.516
25:¥333.4856
参考库存:37677
BFU530WF
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
10,000:¥0.9379
参考库存:53493

  • 海量现货

    50万现货SKU

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