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射频晶体管
BFR740L3RHE6327XTSA1参考图片

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BFR740L3RHE6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4692
54.692
100
¥3.5256
352.56
1,000
¥2.825
2825
15,000
¥2.2035
33052.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR740L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
40 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
40 GHz
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
740L3RH BFR BFR74L3RHE6327XT E6327 SP000252393
单位重量
0.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 405 H6740
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:9148
PD85025-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:40834
NPT1010B
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN
1:¥1,213.2245
2:¥1,193.0201
5:¥1,173.4259
10:¥1,154.4419
25:¥1,112.8692
参考库存:40839
MICROFJ-SMTPA-60035-GEVB
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 J-SERIES 6MM 35U SMTPA
1:¥768.40
参考库存:6830
ARF465BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:6797

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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