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射频晶体管
BFR740L3RHE6327XTSA1参考图片

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BFR740L3RHE6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
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库存:16,018(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4692
54.692
100
¥3.5256
352.56
1,000
¥2.825
2825
15,000
¥2.2035
33052.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR740L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
40 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
40 GHz
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
740L3RH BFR BFR74L3RHE6327XT E6327 SP000252393
单位重量
0.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:37398
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:12564
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
1:¥18.6676
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:9731
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.69947
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:23018
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:3320
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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