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射频晶体管
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MRF1000MB

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库存:5,693(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
332A-03
封装
Tray
工作频率
1090 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥729.0534
2:¥706.3856
5:¥706.1596
10:¥683.4127
参考库存:3842
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:3994
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,877.8114
10:¥1,723.137
25:¥1,546.405
50:¥1,369.673
参考库存:37885
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3334
参考库存:26611
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
500:¥312.8179
参考库存:37892
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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