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射频晶体管
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D2208UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 4OW-12.5V-500MHz PP
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50
¥930.9166
46545.83
100
¥905.2543
90525.43
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
40 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
134 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU610F,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15GHz
1:¥3.4578
10:¥2.825
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:15024
STAC2942FW
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥676.192
5:¥663.7394
10:¥633.8509
25:¥612.7199
参考库存:3266
D1005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
1:¥751.9585
10:¥661.2082
25:¥587.7469
50:¥527.2015
参考库存:37257
D2212UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
50:¥441.0616
100:¥428.9254
参考库存:37262
AGR09180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 38Watt Gain 18.25dB
10:¥874.055
30:¥774.163
50:¥699.244
100:¥674.271
参考库存:37267

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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