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射频晶体管
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PD55025TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
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数量单价合计
1
¥220.0675
220.0675
5
¥217.8414
1089.207
10
¥203.0158
2030.158
25
¥193.8628
4846.57
600
¥157.4429
94465.74
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 165 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-2
封装
Reel
配置
Single Common Source
工作频率
500 MHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH2731-75L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,487.469
参考库存:38963
AFT18S260W31SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥912.8592
参考库存:38968
MRF10502
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
1:¥2,303.4372
参考库存:4909
MRF8S9232NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 60W OM780-2
250:¥738.5115
参考库存:38975
BFU550WX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:75056

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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