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射频晶体管
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SD4931

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
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25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
14.8 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
250 MHz
系列
SD4931
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4 S
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GTVA220701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥878.2021
参考库存:36952
EVB9580
Skyworks Solutions, Inc.
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暂无价格
参考库存:36957
MMRF5014H-500MHZ
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥9,605.00
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参考库存:2828
AFT05MS006NT1
NXP / Freescale
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1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
1,000:¥15.0629
参考库存:12490
PD85015TR-E
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:36966

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    50万现货SKU

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