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射频晶体管
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MD7IC2012NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
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数量单价合计
1
¥300.4444
300.4444
5
¥285.2346
1426.173
10
¥280.3869
2803.869
25
¥254.1144
6352.86
500
¥216.7679
108383.95
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
31.5 dB
输出功率
1.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-14
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935314984528
单位重量
1.652 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC213308FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:39205
XF1001-SC-EV1
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module
1:¥4,322.25
参考库存:5076
MMRF1013HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
50:¥2,614.7861
参考库存:39212
AFIC10275NR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC10275N/FM14F///REEL 13
1:¥1,780.3828
5:¥1,737.5784
10:¥1,694.4011
25:¥1,670.6598
50:¥1,670.6598
参考库存:39217
BFR 193 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:109373

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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