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射频晶体管
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D2202UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DSC2G02C0L
Panasonic
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing
6,000:¥0.30736
9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:35747
MD7IC2012NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
1:¥300.4444
5:¥285.2346
10:¥280.3869
25:¥254.1144
500:¥216.7679
参考库存:35752
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:20483
RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
参考库存:35759
A3G20S250-01SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
1:¥725.8329
5:¥702.3967
10:¥688.3282
25:¥644.9927
100:¥622.7882
250:¥599.4311
参考库存:2875

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