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射频晶体管
BFU520XRR参考图片

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BFU520XRR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
3,000
¥0.95259
2857.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10.5 GHz
最大直流电集电极电流
50 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067711215
单位重量
8.810 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
WiFi / 802.11 Development Tools W2CBW0015 Dev Kit without Host
暂无价格
参考库存:36865
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥538.8744
5:¥522.512
10:¥507.144
25:¥475.4136
参考库存:36870
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥3,581.0491
参考库存:36875
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,169.8099
2:¥1,146.837
5:¥1,108.643
10:¥1,088.7437
参考库存:36880
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥346.9326
5:¥328.1859
10:¥324.423
25:¥299.9811
参考库存:2891
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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