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射频晶体管

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LET9045TR

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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600
¥237.6616
142596.96
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
45 W
最大工作温度
+ 165 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
工作频率
1 GHz
系列
LET9045
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V to 15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFV121KGSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KGS/CFM4///REEL 13
50:¥3,879.5725
参考库存:36671
CGH55030F1
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
1:¥945.2111
参考库存:2592
PTFB192503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:36678
MMBF5485
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.2035
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:602544
BF 2040 E6814
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:91921

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    50万现货SKU

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