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射频晶体管
BFP 181 E7764参考图片

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BFP 181 E7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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库存:54,812(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.67574
675.74
3,000
¥0.51528
1545.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP181
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.02 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 5 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.02 A
Pd-功率耗散
175 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764XT SP000011013
单位重量
11.060 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥35.1882
25:¥27.5042
50:¥23.8204
250:¥23.278
1,000:¥21.2101
参考库存:4636
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:37647
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:3538
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:37654
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.4577
参考库存:21455
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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