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射频晶体管
MAX2602ESA+参考图片

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MAX2602ESA+

  • Maxim Integrated
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
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库存:4,636(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.1882
35.1882
25
¥27.5042
687.605
50
¥23.8204
1191.02
250
¥23.278
5819.5
1,000
¥21.2101
21210.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Maxim Integrated
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MAX2602
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
100 at 250 mA at 3 V
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.99 mm
商标
Maxim Integrated
增益带宽产品fT
1000 MHz
最大直流电集电极电流
1.2 A
Pd-功率耗散
6.4 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
MAX2602
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,035.3399
5:¥1,014.9773
10:¥967.6416
25:¥947.3581
100:¥899.9546
150:¥837.1718
参考库存:39133
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
1:¥5.1528
10:¥4.5765
25:¥4.1358
100:¥3.616
3,000:¥1.9662
参考库存:31064
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,349.8528
参考库存:39140
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF6V12500GS/CFM2///REEL 13
50:¥2,727.6618
参考库存:39145
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H
1:¥1,433.2242
5:¥1,401.2565
10:¥1,372.5884
25:¥1,352.3049
50:¥1,303.2064
参考库存:5326
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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