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射频晶体管
TGF2023-2-10参考图片

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TGF2023-2-10

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
晶体管极性
N-Channel
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1099951
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UF28100V
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
1:¥1,137.9213
2:¥1,118.9486
5:¥1,100.5748
10:¥1,082.8338
25:¥1,043.7923
参考库存:39775
TPS92613EVM
Texas Instruments
射频晶体管
LED 照明开发工具 TPS92613EVM
1:¥1,185.3361
参考库存:5691
2N2857/TR
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥125.8594
200:¥114.7176
500:¥107.35
参考库存:39782
MRF1000MB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:5693
MRF6VP11KHR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:5975

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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