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射频晶体管
BF861B,235参考图片

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BF861B,235

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 15mA
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.5426
45.426
25
¥4.0906
102.265
100
¥3.5934
359.34
10,000
¥1.7741
17741
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
15 mA
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
系列
BF861
类型
JFET
商标
NXP Semiconductors
闸/源截止电压
1.5 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
934034350235
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:39152
MRF157
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:39157
PD84006-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
1:¥115.9493
10:¥106.5816
25:¥102.1972
100:¥90.061
参考库存:7013
CGH60015D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:5275
ITC1100
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,308.6448
参考库存:39166

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