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射频晶体管
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MRF315A

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库存：40,633(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥553.248
553.248
10
¥461.04
4610.4
25
¥414.936
10373.4
50
¥368.832
18441.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
145A-09
封装
Tray
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1213UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE
100:¥325.7225
250:¥318.0385
参考库存:40036
MMRF1013HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013H/CFM4F///REEL 13
1:¥2,852.911
5:¥2,809.0444
10:¥2,767.2344
25:¥2,707.4574
50:¥2,665.8847
参考库存:40041
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,124.4726
参考库存:40046
A2T18S160W31SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,160.3631
参考库存:40051
PH1214-25M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,619.7081
参考库存:5952

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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