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射频晶体管
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MRF392

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
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库存：2,938(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥748.7267
748.7267
10
¥701.9334
7019.334
25
¥685.4919
17137.2975
50
¥669.1182
33455.91
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
16 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
744A-01
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLF245
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:3155
STAC2932BW
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:37151
MRF8P20140WHR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
250:¥700.0124
参考库存:37156
A2T21S260W12NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
250:¥508.3757
参考库存:37161
ARF469AG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:3152

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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