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射频晶体管
HFA3127BZ参考图片

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HFA3127BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
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数量单价合计
1
¥73.9924
73.9924
10
¥66.8508
668.508
25
¥63.7772
1594.43
100
¥55.3248
5532.48
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
48
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1312HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,073.6726
参考库存:37989
TGF2023-2-05
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
暂无价格
参考库存:37994
MMRF1315NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1315N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
500:¥214.1576
参考库存:37999
TAN150
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥1,628.0136
2:¥1,588.8252
5:¥1,565.615
10:¥1,543.4105
参考库存:38004
TGF2023-2-20
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
暂无价格
参考库存:38009

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