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射频晶体管
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LET9070CB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
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数量单价合计
50
¥724.217
36210.85
100
¥674.3501
67435.01
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
17 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243
封装
Bulk
配置
Single Common Source
工作频率
1 MHz to 1 GHz
系列
LET9070CB
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 10 V, 15 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:2633
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
100:¥207.5471
250:¥204.0102
参考库存:36699
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
29:¥478.9392
参考库存:36704
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
1:¥47.6408
10:¥40.4992
100:¥35.1204
250:¥33.2672
3,000:¥23.9786
参考库存:17560
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
250:¥657.5922
参考库存:36711
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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