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射频晶体管

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STBV32-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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库存：61,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
系列
STBV32
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92AP
直流电流增益 hFE 最大值
20
高度
4.5 mm
长度
4.8 mm
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.8 mm
商标
STMicroelectronics
最大直流电集电极电流
1.5 A
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD54003-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:5705
PXAD214218FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,159.2105
参考库存:37846
MMRF1312GSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312GS/CFM4///REEL 13
50:¥4,089.0406
参考库存:37851
BF 998 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:34727
TGF2934
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
50:¥394.4152
100:¥348.4694
250:¥324.1066
参考库存:3969

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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