您好！欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
射频晶体管

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

STBV32-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：61,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
系列
STBV32
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92AP
直流电流增益 hFE 最大值
20
高度
4.5 mm
长度
4.8 mm
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.8 mm
商标
STMicroelectronics
最大直流电集电极电流
1.5 A
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1214-300M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,890.2575
参考库存:38562
0910-150M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,786.3766
参考库存:38567
MRFE6VP8600HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:5238
PXAC241702FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:38574
PTVA123501FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:38579

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话：17080955875

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址：深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

17080955875

微信联系我们 微信扫码联系我们