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射频晶体管
BF 998 E6327参考图片

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BF 998 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF998
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V to 12 V
零件号别名
BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
单位重量
10 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2023-2-10
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
暂无价格
参考库存:36595
BF861B,235
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 15mA
1:¥5.0737
10:¥4.5426
25:¥4.0906
100:¥3.5934
10,000:¥1.7741
参考库存:49931
D2202UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
50:¥401.263
100:¥390.189
参考库存:36602
MRF392
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥748.7267
10:¥701.9334
25:¥685.4919
50:¥669.1182
参考库存:2938
MAAM-009455-TR1000
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
1,000:¥49.72
参考库存:36609

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