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射频晶体管
BF 998 E6327参考图片

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BF 998 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF998
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V to 12 V
零件号别名
BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
单位重量
10 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
400:¥88.592
800:¥82.9081
1,200:¥73.9246
参考库存:37761
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥2,955.8088
参考库存:37766
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥737.664
5:¥724.1379
10:¥691.56
25:¥668.508
100:¥622.4831
150:¥570.3788
参考库存:4382
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥277.0082
5:¥264.5556
10:¥256.2614
25:¥235.5146
参考库存:3704
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:37775
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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