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射频晶体管
A2V09H400-04NR3参考图片

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A2V09H400-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存：38,542(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥782.0052
195501.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.9 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935337372528
单位重量
3.074 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF861B,215
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:105957
ST9060C
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
50:¥466.9612
100:¥432.7674
参考库存:40428
BFU550AVL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
参考库存:40433
MHE1003NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHE1003N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥977.9472
参考库存:40438
MMRF1314HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314H/CFM4F///REEL 13
50:¥3,771.8496
参考库存:40443

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    50万现货SKU

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