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射频晶体管
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BLV33

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数量单价合计
1
¥898.1014
898.1014
10
¥824.109
8241.09
25
¥739.585
18489.625
50
¥655.061
32753.05
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
12.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-147
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
132 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF134
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:3637
MAPRST0912-350
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
1:¥3,276.2994
参考库存:2234
PXAC260602FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥530.7384
参考库存:36370
SKY73092-EVB
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:36375
A2T26H160-24SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,028.5825
参考库存:36380

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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