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射频晶体管
BFR 93A E6327参考图片

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BFR 93A E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.2035
22.035
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR93
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
6000 MHz
最大直流电集电极电流
0.09 A
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR93AE6327HTSA1 BFR93AE6327XT SP000011066
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:36858
MMRF1019NR4
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
1:¥586.8994
5:¥569.7686
10:¥557.5533
25:¥534.1962
100:¥495.0078
参考库存:3224
W2CBW0015DEV-1
Wi2Wi
射频晶体管
WiFi / 802.11 Development Tools W2CBW0015 Dev Kit without Host
暂无价格
参考库存:36865
MS1226
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥538.8744
5:¥522.512
10:¥507.144
25:¥475.4136
参考库存:36870
TAN350
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥3,581.0491
参考库存:36875

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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