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射频晶体管
GTVA107001EC-V1-R250参考图片

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GTVA107001EC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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库存:37,482(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥6,372.7254
1593181.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
890 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1.215 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:14825
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700H-1090/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:37526
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,121.1682
5:¥2,088.5903
10:¥2,057.4701
25:¥2,013.0498
50:¥1,982.1669
参考库存:37531
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
1:¥224.757
5:¥214.926
10:¥207.3889
25:¥180.9582
500:¥156.0643
参考库存:4292
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥354.4584
250:¥354.4584
参考库存:4549
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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