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射频晶体管

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BFR 360L3 E6765

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor
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库存：40,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.88366
883.66
15,000
¥0.64523
9678.45
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR360L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
14000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
14000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
210 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR360L3E6765XTMA1 BFR36L3E6765XT SP000013561
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 640 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:35642
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
250:¥326.796
参考库存:39373
PD85035STR1-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
600:¥181.8057
参考库存:39378
T1G4012036-FS
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
暂无价格
参考库存:39383
SMK9130A1
IDT
射频晶体管
射频开发工具 BEAMFORMING DEVELOP KIT
暂无价格
参考库存:39388

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