您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

CE3514M4

  • CEL
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥6.9721
69.721
100
¥5.0737
507.37
500
¥4.3053
2152.65
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
Id-连续漏极电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
125 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
配置
Single
商标
CEL
正向跨导 - 最小值
54 mS
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
4.528 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥1,271.702
2:¥1,241.1242
5:¥1,227.9032
10:¥1,210.23
参考库存:39126
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
25:¥2,600.5707
参考库存:5117
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,035.3399
5:¥1,014.9773
10:¥967.6416
25:¥947.3581
100:¥899.9546
150:¥837.1718
参考库存:39133
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
1:¥5.1528
10:¥4.5765
25:¥4.1358
100:¥3.616
3,000:¥1.9662
参考库存:31064
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,349.8528
参考库存:39140
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:17080955875

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

17080955875

微信联系我们 微信扫码联系我们