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射频晶体管

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CE3514M4

  • CEL
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥6.9721
69.721
100
¥5.0737
507.37
500
¥4.3053
2152.65
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
Id-连续漏极电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
125 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
配置
Single
商标
CEL
正向跨导 - 最小值
54 mS
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
4.528 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1005HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
50:¥2,218.8341
参考库存:40936
SD3931-10
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥615.0251
5:¥603.7364
10:¥576.6051
25:¥557.316
参考库存:40941
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:51892
SD1490
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,387.9564
10:¥1,273.623
25:¥1,142.995
50:¥1,012.367
参考库存:6814
BFG35,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:30166

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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