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射频晶体管

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MRFE6S9125NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500
¥487.3238
243661.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935309651528
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGH40120P
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
250:¥2,165.8145
参考库存:39969
D1011UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
100:¥171.5114
250:¥170.8108
500:¥170.4266
参考库存:39974
MRFX1K80N-230MHZ
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-230MHZ
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:39979
A2T20H330W24NR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥882.5865
参考库存:39984
ARF475FL
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥740.3534
2:¥717.3805
5:¥717.1432
10:¥694.0234
参考库存:5910

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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