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射频晶体管
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AFT05MS003NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥24.2837
24.2837
10
¥22.2836
222.836
25
¥20.2835
507.0875
100
¥18.2156
1821.56
1,000
¥13.673
13673
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 30 V
增益
20.8 dB
输出功率
3.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
30.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935312585147
单位重量
50.800 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGHV27030S
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥354.4584
250:¥354.4584
参考库存:4549
CGHV35150F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
暂无价格
参考库存:37540
MRF426
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
1:¥270.3186
5:¥265.0189
10:¥263.5612
25:¥243.2777
参考库存:4276
MRF8S7170NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
1:¥643.3768
5:¥630.9355
10:¥610.1096
25:¥584.2891
250:¥523.8906
参考库存:37547
MRF951
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4523

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    50万现货SKU

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