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射频晶体管
MRF8S9220HSR3参考图片

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MRF8S9220HSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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库存:38,907(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥952.9742
952.9742
5
¥934.4535
4672.2675
10
¥903.6384
9036.384
25
¥865.3766
21634.415
250
¥775.9258
193981.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.4 dB
输出功率
65 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
920 MHz to 960 MHz
系列
MRF8S9220H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310477128
单位重量
4.763 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-7.2V-1GHz SE
100:¥503.6862
参考库存:35862
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
1:¥410.5516
5:¥398.6414
10:¥390.1212
25:¥373.6684
250:¥331.3386
参考库存:2303
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:35869
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥488.7024
10:¥464.2718
25:¥439.8299
50:¥415.3993
100:¥316.5808
参考库存:35874
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥500.5335
参考库存:35879
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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