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射频晶体管
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PTFC261402FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥646.5295
32326.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D5001UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-175MHz SE
1:¥428.383
10:¥378.2788
25:¥343.1697
50:¥321.8805
参考库存:40339
MMRF1310HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
50:¥765.9366
参考库存:6305
AFT20P140-4WNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
1:¥599.7362
5:¥582.289
10:¥569.7686
25:¥545.8691
250:¥484.0129
参考库存:40346
SD2933W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
1:¥955.2794
5:¥936.5214
10:¥892.8808
25:¥874.1341
参考库存:6227
PD84010TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
600:¥87.5185
参考库存:40353

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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