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射频晶体管

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MMRF5300NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1,807.8192
1807.8192
5
¥1,767.4782
8837.391
10
¥1,731.3634
17313.634
25
¥1,705.7689
42644.2225
50
¥1,643.8336
82191.68
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
105.3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
零件号别名
935322537528
单位重量
554.700 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFS 17W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:65594
T1G4012036-FL
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
暂无价格
参考库存:35960
BFP 740FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:22546
10502
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥3,678.7941
5:¥3,447.8108
参考库存:35967
AFIC31025NR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥271.8554
参考库存:35972

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