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射频晶体管

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BF 999 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
6.5 V
零件号别名
BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
暂无价格
参考库存:37540
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
1:¥270.3186
5:¥265.0189
10:¥263.5612
25:¥243.2777
参考库存:4276
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
1:¥643.3768
5:¥630.9355
10:¥610.1096
25:¥584.2891
250:¥523.8906
参考库存:37547
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4523
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:15700
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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