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射频晶体管
BFR31,235参考图片

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BFR31,235

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 5mA
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库存:45,016(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
10,000
¥1.2543
12543
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
5 mA
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
类型
JFET
商标
NXP Semiconductors
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
933163490235
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3334
参考库存:26611
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
500:¥312.8179
参考库存:37892
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:4553
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-400MHz PP
50:¥1,080.1444
参考库存:37899
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
150:¥976.7155
参考库存:37904
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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