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射频晶体管
T1G2028536-FS参考图片

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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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库存：1,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2731-20
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
20:¥1,788.1459
25:¥1,763.6362
50:¥1,642.7601
参考库存:38296
MRF6V2010GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:38301
QPD0060
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
1:¥415.6253
25:¥374.0526
100:¥374.0526
参考库存:38306
CG2H80030D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:4422
MHT1004GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
250:¥853.15
参考库存:38313

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