QPD0060原装正品_库存数量_PDF手册

射频晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：38,306(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	16.2 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	90 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 3.8 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	QPD0060PCB4B01
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1131037

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MDS140L	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	25:¥1,514.5955 50:¥1,410.7033	参考库存:40611
PXAC201602FC-V1-R250	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥597.1259	参考库存:40616
CGH35240F	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt	暂无价格	参考库存:40621
BFP196E6327HTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥2.9945 10:¥2.147 100:¥0.99101 1,000:¥0.76049 3,000:¥0.64523	参考库存:31652
2729-170	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor	20:¥2,587.361	参考库存:40628