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射频晶体管
BF1105R,215参考图片

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BF1105R,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.9945
29.945
25
¥2.7007
67.5175
100
¥2.3617
236.17
3,000
¥1.2882
3864.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
7 V, 7 V
Rds On-漏源导通电阻
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143R-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V, 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
934050330215
单位重量
9.100 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD84001
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
参考库存:13312
MRF5943
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:5684
MRFX1K80N-88MHZ
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:38640
20939010101
HARTING
射频晶体管
射频识别变换器工具 PROTECT COVER FOR RF-R500
暂无价格
参考库存:38645
DME375A
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,166.1196
参考库存:38650

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    50万现货SKU

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