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射频晶体管
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NPTB00004A

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
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库存：6,984(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥118.0285
118.0285
10
¥107.1127
1071.127
25
¥99.2818
2482.045
50
¥93.5866
4679.33
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
11.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
6 GHz
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU630F,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
1:¥4.3844
10:¥3.5708
100:¥2.1809
1,000:¥1.6837
3,000:¥1.4351
参考库存:179256
D1031UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
100:¥247.8881
250:¥243.6619
参考库存:37377
PTFB093608FV-V3-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:37382
MRF175LU
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
1:¥583.2156
10:¥547.8692
25:¥535.4957
50:¥523.1222
参考库存:3478
AFV09P350-04GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,497.0014
参考库存:37389

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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