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射频晶体管
BFR35APE6327HTSA1参考图片

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BFR35APE6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.2035
22.035
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR35
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
35AP BFR BFR35APE6327XT E6327 SP000011060
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1207UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-400MHz PP
1:¥986.4674
10:¥871.0605
25:¥773.0104
50:¥732.5903
参考库存:37041
CGH55015F2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
1:¥528.049
参考库存:3227
D1202UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-400MHz SE
50:¥446.5195
100:¥439.683
参考库存:37048
CG2H80015D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
暂无价格
参考库存:37053
AFV121KHSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:37058

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